[일요서울] 삼성전자가 화성사업장에 반도체 미래를 이끌 최첨단 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 전용 라인인 ‘V1 라인’을 본격적으로 가동하고 ‘반도체 비전 2030’ 달성에 나섰다.
 
삼성전자는 ‘V1 라인’에서 초미세 EUV 공정 기반 7나노부터 혁신적인 GAA(Gate-All-Around) 구조를 적용한 3나노 이하 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 계획이다.
 
삼성전자는 최첨단 공정 기술을 바탕으로 퀄컴, 바이두 등 대형 팹리스(Fabless, 반도체 회로 설계) 기업과 협력을 추진하며 모바일부터 HPC(High Performance Computing) 분야까지 파운드리 영역을 확대해 나가고 있다. ‘V1 라인’은 5G·AI·자율주행 등 4차 산업혁명 시대를 가속화하는 차세대 반도체 생산 핵심기지로서 역할을 할 것으로 기대된다.
 
‘V1 라인’은 삼성전자의 첫 번째 EUV 전용 라인으로 2018년 초 건설을 시작해 2019년 하반기 완공됐다. 2020년까지 누적 투자 금액은 약 60억불 수준이며, V1 라인 가동으로 2020년 말 기준 7나노 이하 제품의 생산 규모는 2019년 대비 약 3배 이상 확대될 것으로 예상된다.
 
EUV 노광 기술은 짧은 파장의 극자외선으로 세밀하게 회로를 그릴 수 있어 7나노 이하 초미세 공정을 구현할 수 있다. 이는 급증하는 정보를 처리할 수 있는 고성능 저전력 반도체를 만드는데 필수적인 기술이다.
 
또한 EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄일 수 있어 성능과 수율이 향상되고, 제품 출시 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.
저작권자 © 일요서울i 무단전재 및 재배포 금지